 | TI ha espanso la sua gamma di gate driver per MOSFET UCCxxx con tre modelli di nuova generazione siglati rispettivamente UCC27210, UCC27211 e UCC27524. Si tratta di driver a 4 A e 5 A a due uscite destinati alla realizzazione di alimentatori per i segmenti dei server e delle telecomunicazioni. |
| Toshiba Electronics Europe ha presentato due nuovi fotoaccoppiatori ultraminiaturizzati per il pilotaggio di gate IGBT/MOSFET che offrono prestazioni garantite sulla gamma di temperatura estesa compresa tra -40 °C e 125 °C.
I dispositivi TLP700H e TLP701H sono forniti in contenitori SDIP6 e sono progettati per pilotare direttamente transistor IGBT e MOSFET di potenza, senza la necessità di componenti aggiuntivi. |
| Toshiba Electronics Europe ha presentato una nuova generazione di MOSFET a media potenza per la gestione dei circuiti di alimentazione dei dispositivi portatili. Gli ultracompatti transistor MOSFET SSM3J13xTU soddisfano i requisiti di commutazione a bassa potenza, alta velocità e alta corrente dei circuiti di alimentazione periferici, in applicazioni come telefoni cellulari, fotocamere digitali e altre apparecchiature alimentate a batteria. |
 | Galbiati Group è stato premiato come miglior fornitore di Siemens VAI. Il colosso austriaco ha conferito il suo riconoscimento all’azienda lecchese scegliendo tra oltre 6.000 fornitori da ogni continente. |
| I nuovi e robusti dispositivi sono realizzati da International Rectifier con una tecnologia planare che garantisce una bassa RDS(on) e sono disponibili con tensioni nominali da 40 V a 75 V in vari tipi di contenitori adatti al montaggio superficiale (SMD) e a inserzione. |
| Toshiba Electronics Europe (TEE) estende la famiglia di MOSFET di potenza da 30 V con nuovi dispositivi che combinano commutazioni ad alta velocità, correnti nominali elevate e un contenitore dalla forma compatta. I nuovi dispositivi della famiglia TPCx sono adatti per una vasta gamma di elettrodomestici digitali, sistemi per l'ufficio e altri prodotti che richiedono una conversione DC/DC a raddrizzamento sincrono. |
| Realizzati sfruttando la consolidata tecnologia planare di IR, i nuovi dispositivi MOSFET sono disponibili in un contenitore di tipo SO-8. Composta da dispositivi singoli e doppi a canale P e a canale N, oltre che da dispositivi a canale P e canale N integrati nello stesso contenitore, la nuova famiglia offre una soluzione di sistema compatta per pilotare uscite multiple o i circuiti a mezzo ponte tipici delle applicazioni automobilistiche. |
 | Analisi dei vantaggi offerti dai MOSFET con ‘shielded gate’ nel segmento dei dispositivi a media tensione (40-300 V) |
| Fairchild Semiconductor ha sviluppato il Mosfet PowerTrench N-Channel FDMS86500L, progettato per minimizzare le perdite di conduzione e il "ringing" dei nodi dello switch migliorando contemporaneamente l'efficienza complessiva dei convertitori DC-DC. |
| La bassa impedenza termica del package LGA e la grande efficienza consentono una conversione DC/DC della potenza di uscita da 12 VIN a 1 VOUT con una temperatura ambiente di 70 ºC senza flusso d'aria o di 86 ºC con 200 LFM (Linear Feet per Minute, piedi lineari al minuto). |
| Il fotoaccoppiatore ultracompatto di Toshiba Electronics Europe (TEE) contribuirà a soddisfare i requisiti di pilotaggio di gate di transitor Mosfet e IGBT in inverter, impianti di riscaldamento a induzione e altre applicazioni che richiedano un isolamento di sicurezza e un funzionamento a temperature ambientali elevate. |
| Rohm Semiconductor ha presentato i primi Mosfet con pilotaggio a 0,9 V. Si tratta dei dispositivi Ecomos che, basati sull’innovativa tecnica di produzione dell’azienda, mostrano un netto miglioramento dei valori Rds(on) soprattutto quando siano richieste basse tensioni di pilotaggio sul gate. Si ottiene così una riduzione del consumo energetico che è fino al 90% inferiore rispetto a dispositivi simili come i transistor bipolari che operano già con tensioni bassissime; questi Mosfet sono la soluzione ideale per i circuiti di potenza dei dispositivi portatili. |
| Si7625DN, proposto da Vishay Intertechnology, è il primo Mosfet di potenza Gen III TrenchFet a canale p da 30 V racchiuso nel contenitore PowerPak 1212-8 a presentare la più bassa resistenza distribuita a disposizione in ambito industriale in relazione a un Mosfet a canale p avente la suddetta tensione nominale e contenuto in un ingombro di 3,3 x 3,3 mm. |
| Un dispositivo sviluppato da Fairchild Semiconductor consente di ridurre ulteriormente consumi di energia e ingombri sulle schede elettroniche. |
| Il dispositivo Fdmc8200 integra un Mosfet a canale n da 30 V sincrono (low side) e ottimizzato per il controllo (high side) in un modulo Mlp da 3 x 3 mm Mlp, il tutto facendo ricorso alla raffinata tecnologia di processo Mosfet Fairchild PowerTrench 7.
Presenta un valore Rds(on) tipico di 24 mΩ nel lato high side e di 9,5 mΩ nel lato low side e fornisce oltre 9 A di corrente per le tipiche applicazioni informatiche, mentre la disposizione dei pin e gli ingombri ottimizzati semplificano il layout progettuale e il percorso dei segnali, facilitando la progettazione. |
| Avnet Memec distribuisce già le tecnologie più conosciute di NEC Electronics, compresi MCU (a 8/16/32 bit), fotoaccoppiatori e Mosfet di Potenza in Germania, Svizzera, Austria, Italia, Francia, Regno |
| Questi dispositivi sono ideali nelle architetture di potenza ridondanti utilizzate nei moderni sistemi ad alta disponibilità come server, supercomputer e infrastrutture di telecomunicazione. |
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