Realizzati sfruttando la consolidata tecnologia planare di IR, i nuovi dispositivi MOSFET sono disponibili in un contenitore di tipo SO-8. Composta da dispositivi singoli e doppi a canale P e a canale N, oltre che da dispositivi a canale P e canale N integrati nello stesso contenitore, la nuova famiglia offre una soluzione di sistema compatta per pilotare uscite multiple o i circuiti a mezzo ponte tipici delle applicazioni automobilistiche.

Disponibile in una vasta di tensioni nominali e configurazioni nel contenitore SO-8 e basata sulla sua nota tecnologia planare, la più recente famiglia di MOSFET per applicazioni automobilistiche di IR permette di realizzare soluzioni robuste e compatte nelle quali è richiesto l’utilizzo di un MOSFET molto resistente per pilotare carichi sia resistivi che induttivi.

I MOSFET per auto di IR sono sottoposti a collaudi statici e dinamici con metodologie statistiche PAT (Part Average Testing) combinate con l’ispezione ottica automatica al 100% a livello di wafer e rientrano nel programma di qualità per il settore automobilistico di IR con l’obiettivo zero difetti.

I nuovi dispositivi sono qualificati in conformità agli standard AEC-Q101 e sono realizzati con materiali a basso impatto ambientale, senza piombo e conformi alle direttive sulle sostanze pericolose RoHS.