Rohm Semiconductor ha presentato i primi Mosfet con pilotaggio a 0,9 V. Si tratta dei dispositivi Ecomos che, basati sull’innovativa tecnica di produzione dell’azienda, mostrano un netto miglioramento dei valori Rds(on) soprattutto quando siano richieste basse tensioni di pilotaggio sul gate. Si ottiene così una riduzione del consumo energetico che è fino al 90% inferiore rispetto a dispositivi simili come i transistor bipolari che operano già con tensioni bassissime; questi Mosfet sono la soluzione ideale per i circuiti di potenza dei dispositivi portatili. In fase di produzione è stato fatto tutto il possibile per ridurre al minimo l’impatto sull’ambiente (per es. uso di resine senza alogeni).

Presentano le seguenti caratteristiche: pilotaggio da 0,9 V; funzionamento da una sola batteria a secco (tensione di fine utilizzo 0,9 V); compatibilità con le tensioni di uscita più basse utilizzate dagli ultimi IC; supporto di batterie solari (tipo 1 V: da 0,5 a 2 V); perdita ridotta fino al 90% rispetto ai transistor bipolari. Sono disponibili in diversi contenitori, dal Vmn3 (0,6 x 1,0 mm) all’Umt6 (Sot-363).

Rohm Semiconductor: www.rohmeurope.com