Si7625DN, proposto da Vishay Intertechnology, è il primo Mosfet di potenza Gen III TrenchFet a canale p da 30 V racchiuso nel contenitore PowerPak 1212-8 a presentare la più bassa resistenza distribuita a disposizione in ambito industriale in relazione a un Mosfet a canale p avente la suddetta tensione nominale e contenuto in un ingombro di 3,3 x 3,3 mm.

Si presta per usi in commutatori di adattatori, carichi e batterie impiegati in computer notebook, netbook e sistemi industriali/generici. Nel caso dei commutatori di adattatori (effettuanti commutazioni tra l’alimentazione a muro/adattatore e quella di batterie), dove gli stessi sono solitamente attivati e consumano quindi corrente, la sua minore resistenza distribuita si traduce in consumi più contenuti, consentendo di risparmiare potenza e prolungando la durata di batterie tra ricariche, riducendo, inoltre, nel contempo, il calore per permettere l’uso di un’area di piazzola Pcb più piccola. Nel caso dei commutatori di carichi fino a 24 V e di applicazioni hot swap utilizzati in sistemi industriali/generici, invece, la sua bassa resistenza distribuita determina, altresì, minori cadute di tensione.

Offre una resistenza distribuita di 7 mΩ a 10 V e di 11 mΩ a 4,5 V, vale a dire valori che, rapportati alle medesime tensioni, risultano rispettivamente più bassi del 30% e del 39% in confronto con quelli del precedente dispositivo a 30 V, sempre occupante un ingombro di 3,3 x 3,3 mm. È testato al 100% Rg e Uis, conforme alla direttiva RoHS 2002/95/CE e privo di alogeni secondo la norma Iec 61249-2-21.

Vishay Intertechnology: www.vishay.com